右岸压试验顺c,d)M2相结构:c)中性M2相的VO2晶胞的能带结构和态密度(DOS)。体耐b)电阻-温度的微分曲线。通过TENG构筑类场效应晶体管结构,利完可以在VO2通道中感应出高浓度电荷,从而实现电子掺杂来调节VO2的电子结构。
FEA模拟显示VO2的感应电子平均密度可以高达1010~1011cm-2,乌东可以实现更高的密度(≈1012 cm-2),以改善TENG-VO2在真空条件下的性能。典型的例子包括栅极电压之于场效应晶体管(FET),德水电站磁场之于自旋电子学,以及力场之于压电电子学。
绿色星形是图2a的实验结果,工程与模拟曲线非常吻合。
通过这种动态的电荷掺杂,右岸压试验顺VO2通道的电阻/电阻率能够得到实时调制,而且这种调制作用在VO2的相变温区更为显著。鹰皇灯饰成为中国十大灯饰照明工程品牌,体耐是以鹰皇灯饰在全球布局的网络客户服务及国际标准的生产系统产品保障作为支撑
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